SKM195GB066D SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.4kA
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D61
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6432.64 грн |
| 8+ | 5744.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM195GB066D SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 265A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 265A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SKM195GB066D за ціною від 7158.44 грн до 9315.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SKM195GB066D | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Collector current: 200A Pulsed collector current: 1.4kA Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Version: D61 Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: SEMITRANS2 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SKM195GB066D | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 265A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 265A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SKM195GB066D | Виробник : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 600V 265A 7-Pin Case D-61 |
товару немає в наявності |