SKM195GB066D


Код товару: 216816
Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

очікується 2 шт:

2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM195GB066D за ціною від 8836.40 грн до 10966.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM195GB066D SKM195GB066D Виробник : SEMIKRON DANFOSS SKM195GB066D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Mechanical mounting: screw
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8836.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM195GB066D SKM195GB066D Виробник : SEMIKRON DANFOSS SKM195GB066D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10603.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM195GB066D SKM195GB066D Виробник : SEMIKRON SEMI-S-A0002552472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 265A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10966.26 грн
5+10175.19 грн
10+9245.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM195GB066D SKM195GB066D Виробник : Semikron 184314960618804184302844172966semikron_datasheet_skm195gb066d_22890052.pdf Trans IGBT Module N-CH 600V 265A 7-Pin Case D-61
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.