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| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SKM195GB066D | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 265A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 265A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SKM195GB066D |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
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Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 265A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
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IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 265A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)