Продукція > Транзистори > IGBT > SKM195GB066D

SKM195GB066D

Код товару: 216816
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM195GB066D за ціною від 8907.80 грн до 10002.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SKM195GB066D SKM195GB066D SEMIKRON DANFOSS SKM195GB066D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SEMITRANS2
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+8907.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM195GB066D SKM195GB066D SEMIKRON SEMI-S-A0002552472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 265A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10002.34 грн
5+9445.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM195GB066D SKM195GB066D.pdf
SKM195GB066D
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SEMITRANS2
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.4kA
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8907.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM195GB066D SEMI-S-A0002552472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM195GB066D
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 265A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10002.34 грн
5+9445.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.