Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SKM195GB066D за ціною від 8871.20 грн до 9961.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM195GB066D | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Case: SEMITRANS2 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Collector current: 200A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.4kA Version: D61 Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Topology: IGBT half-bridge |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM195GB066D | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 265A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 265A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SKM195GB066D | Виробник : Semikron | IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |