на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 8310.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM200GB125D Semikron
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 200A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SKM200GB125D за ціною від 23120.88 грн до 28255.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM200GB125D | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A Mechanical mounting: screw Version: D56 Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Case: SEMITRANS3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 160A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Topology: IGBT half-bridge |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM200GB125D | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A Mechanical mounting: screw Version: D56 Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Case: SEMITRANS3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 160A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 1.2kV Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM200GB125D | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
SKM200GB125D Код товару: 56786
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||
 |
SKM200GB125D | Виробник : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 3-Pin Case D-56 |
товару немає в наявності |