Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SKM200GB125D за ціною від 9391.38 грн до 26791.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM200GB125D | Виробник : Semikron |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 3-Pin Case D-56 |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM200GB125D | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Mechanical mounting: screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Topology: IGBT half-bridge Case: SEMITRANS3 Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 160A Pulsed collector current: 300A Version: D56 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM200GB125D | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SKM200GB125D | Виробник : Semikron | Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |