Продукція > Транзистори > IGBT > SKM200GB125D

SKM200GB125D

Код товару: 56786
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM200GB125D за ціною від 24487.63 грн до 26901.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SKM200GB125D SKM200GB125D SEMIKRON DANFOSS SKM200GB125D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 300A
Version: D56
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+24487.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB125D SKM200GB125D SEMIKRON SEMI-S-A0002551499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26901.54 грн
5+26335.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB125D SKM200GB125D.pdf
SKM200GB125D
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 300A
Version: D56
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+24487.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB125D SEMI-S-A0002551499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM200GB125D
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+26901.54 грн
5+26335.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.