Продукція > SEMIKRON > SKM200GB125D
SKM200GB125D

SKM200GB125D Semikron

191005416970136190972019100016semikron_datasheet_skm200gal125d_22890740.pdf
Виробник: Semikron
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 3-Pin Case D-56
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+8686.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM200GB125D Semikron

Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 200A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SKM200GB125D за ціною від 24451.14 грн до 30733.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM200GB125D SKM200GB125D Виробник : SEMIKRON DANFOSS SKM200GB125D.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 160A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Version: D56
Semiconductor structure: transistor/transistor
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+24451.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB125D SKM200GB125D Виробник : SEMIKRON SEMI-S-A0002551499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30733.44 грн
5+29418.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB125D
Код товару: 56786
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKM200GB125D Виробник : Semikron Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.