Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SKM200GB12V
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM200GB12V | SEMIKRON |
 Description: SEMIKRON - SKM200GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 311 A, 1.75 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: V-IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 311A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 311A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SKM200GB12V |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM200GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 311 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 311A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 311A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: SEMIKRON - SKM200GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 311 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 311A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 311A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)