Продукція > Транзистори > IGBT > SKM300GB12T4

SKM300GB12T4

Код товару: 89318
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM300GB12T4 за ціною від 18786.69 грн до 18786.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM300GB12T4 22892070 SKM300GB12T4 22892070 SEMIKRON DANFOSS SKM300GB12T4-DTE.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 324A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 324A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1548A
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+18786.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM300GB12T4 SKM300GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0002552646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM300GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 422A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 422A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM300GB12T4 22892070 SKM300GB12T4-DTE.pdf
SKM300GB12T4 22892070
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 324A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 324A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1548A
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18786.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM300GB12T4 SEMI-S-A0002552646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM300GB12T4
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM300GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 422A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 422A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.