Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKM400GB12T4 22892080

SKM400GB12T4 22892080 SEMIKRON DANFOSS


SKM400GB12T4.pdf
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: SEMITRANS3
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 1.2kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27261.82 грн
3+22410.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM400GB12T4 22892080 SEMIKRON DANFOSS

Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 616A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 616A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SKM400GB12T4 22892080

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM400GB12T4 SKM400GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0002552688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 616A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM400GB12T4 SEMI-S-A0002552688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 616A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.