Продукція > Транзистори > IGBT > SKM400GB12V

SKM400GB12V

Код товару: 62407
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM400GB12V за ціною від 23157.38 грн до 25147.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM400GB12V 22892083 SKM400GB12V 22892083 SEMIKRON DANFOSS SKM400GB12V.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+25147.58 грн
8+23157.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM400GB12V SKM400GB12V SEMIKRON SEMI-S-A0002552650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM400GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 612 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 612A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 612A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM400GB12V 22892083 SKM400GB12V.pdf
SKM400GB12V 22892083
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: SEMITRANS3
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+25147.58 грн
8+23157.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM400GB12V SEMI-S-A0002552650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM400GB12V
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM400GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 612 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 612A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 612A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.