Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM50GB123D
- IGBT MODULE, DUAL
- Module Configuration:1 Pair Series Connection
- DC Collector Current:50A
- Max Voltage Vce Sat:2.8V
- Max Power Dissipation:310W
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Operating Temperature Range:-40`C to +150`C
- SVHC:No SVHC
- Case Style:SEMITRANS 2
- External Depth:34mm
- External Length / Height:29.5mm
- External Width:94mm
- No. of Transistors:2
- Termination Type:Screw
- Transistor Polarity:N Channel
- Transistor Type:IGBT Module
- Av Current Ic:50A
- Current Temperature:25`C
- Fixing Centres:80mm
- Fixing Hole Diameter:6.4mm
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Current Ic Continuous b:40A
- Max Power Dissipation Ptot:400W
- Power Dissipation:310W
- Power Dissipation Pd:400W
- Pulsed Current Icm:100A
- Rise Time:60ns
- Voltage Vces:1200V
Інші пропозиції SKM50GB123D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM50GB123D | Виробник : SEMIKRON | MODULE |
на замовлення 579 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SKM50GB123D | Виробник : Semikron |
 IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |