SKM50GB12T4

SKM50GB12T4 SEMIKRON


SEMI-S-A0002552774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 81A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6177.84 грн
5+5939.97 грн
10+5482.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM50GB12T4 SEMIKRON

Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2, tariffCode: 84733020, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 81A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: SEMITRANS 2, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 81A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SKM50GB12T4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM50GB12T4
Код товару: 43551
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKM50GB12T4 SKM50GB12T4 Виробник : Semikron 188658025448915188646263949442semikron_datasheet_skm50gb12t4_22892000.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 81A 7-Pin Case GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKM50GB12T4 SKM50GB12T4 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59493002B9BD92469&compId=SKM50GB12T4.pdf?ci_sign=50f88b0f33af938aa570e19fe75171493a54bd82 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D61
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKM50GB12T4 SKM50GB12T4 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE59493002B9BD92469&compId=SKM50GB12T4.pdf?ci_sign=50f88b0f33af938aa570e19fe75171493a54bd82 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Version: D61
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.