
SKM50GB12T4 SEMIKRON

Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6830.41 грн |
5+ | 6337.24 грн |
10+ | 5758.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM50GB12T4 SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2, tariffCode: 84733020, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: SEMITRANS 2, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 81A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 81A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SKM50GB12T4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SKM50GB12T4 Код товару: 43551
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||
![]() |
SKM50GB12T4 | Виробник : Semikron |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SKM50GB12T4 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A Version: D61 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS2 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SKM50GB12T4 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A Version: D61 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS2 Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |