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Технічний опис SKM50GB12T4
- IGBT HALFBRIDGE MODULE 50A 1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- Termination Type:Screw
Інші пропозиції SKM50GB12T4 за ціною від 5724.87 грн до 6087.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
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SKM50GB12T4 | SEMIKRON |
  Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2tariffCode: 84733020 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SEMITRANS 2 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 81A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 81A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SKM50GB12T4 |
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Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 1+ | 6087.39 грн |
| 5+ | 5724.87 грн |