Продукція > Транзистори > IGBT > SKM50GB12T4

SKM50GB12T4

Код товару: 43551
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM50GB12T4

  • IGBT HALFBRIDGE MODULE 50A 1200V
  • Case Style:SEMITRANS 2
  • Termination Type:Screw

Інші пропозиції SKM50GB12T4 за ціною від 4101.65 грн до 4101.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM50GB12T4 SKM50GB12T4 SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12T4.pdf description Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4101.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM50GB12T4 SKM50GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0002552774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM50GB12T4 description SKM50GB12T4.pdf
SKM50GB12T4
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4101.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM50GB12T4 description SEMI-S-A0002552774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM50GB12T4
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 84733020
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 81A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.