Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM50GB12T4
- IGBT HALFBRIDGE MODULE 50A 1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- Termination Type:Screw
Інші пропозиції SKM50GB12T4 за ціною від 5759.96 грн до 6508.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM50GB12T4 | Виробник : SEMIKRON |
 Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2tariffCode: 84733020 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SEMITRANS 2 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 81A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 81A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SKM50GB12T4 | Виробник : Semikron | IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |