
SKM50GD125D 21918010 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Version: D67
Topology: IGBT three-phase bridge
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITRANS6
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18526.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM50GD125D 21918010 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Version: D67, Topology: IGBT three-phase bridge, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Pulsed collector current: 100A, Electrical mounting: FASTON connectors, Mechanical mounting: screw, Collector current: 50A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SEMITRANS6, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SKM50GD125D 21918010 за ціною від 22232.10 грн до 22232.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SKM50GD125D 21918010 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Version: D67 Topology: IGBT three-phase bridge Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: FASTON connectors Mechanical mounting: screw Collector current: 50A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SEMITRANS6 Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|