SKM50GD125D 21918010 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Version: D67
Topology: IGBT three-phase bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: SEMITRANS6
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18571.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM50GD125D 21918010 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Version: D67, Topology: IGBT three-phase bridge, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 100A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Case: SEMITRANS6, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SKM50GD125D 21918010 за ціною від 22285.55 грн до 22285.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SKM50GD125D 21918010 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Version: D67 Topology: IGBT three-phase bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|