Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SKM50GD125D 21918010
SKM50GD125D 21918010

SKM50GD125D 21918010 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CCFD526846C469&compId=SKM50GD125D.pdf?ci_sign=8e599c8a4dc08635aa36c588257decf859ec25fd Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Version: D67
Topology: IGBT three-phase bridge
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITRANS6
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18526.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM50GD125D 21918010 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Version: D67, Topology: IGBT three-phase bridge, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Pulsed collector current: 100A, Electrical mounting: FASTON connectors, Mechanical mounting: screw, Collector current: 50A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SEMITRANS6, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SKM50GD125D 21918010 за ціною від 22232.10 грн до 22232.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM50GD125D 21918010 SKM50GD125D 21918010 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586CCFD526846C469&compId=SKM50GD125D.pdf?ci_sign=8e599c8a4dc08635aa36c588257decf859ec25fd Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Version: D67
Topology: IGBT three-phase bridge
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMITRANS6
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22232.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.