Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM75GB123D
- IGBT MODULE, DUAL
- Transistor Type:IGBT Module
- Max Voltage Vce Sat:3.2V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- SVHC:No SVHC
- Av Current Ic:78A
- Case Style:SEMITRANS 2
- Current Temperature:25`C
- External Depth:34mm
- External Length / Height:29.5mm
- External Width:94mm
- Fixing Centres:80mm
- Fixing Hole Diameter:6.4mm
- Max Current Ic Continuous a:75A
- Max Current Ic Continuous b:50A
- Max Power Dissipation Ptot:400W
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation Pd:400W
- Pulsed Current Icm:150A
- Rise Time:56ns
- Termination Type:Screw
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:1200V
Інші пропозиції SKM75GB123D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM75GB123D | Виробник : SEMIKRON |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SKM75GB123-D | Виробник : SEMIKRON | MODULE |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SKM75GB123D | Виробник : Semikron | IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |