Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM75GB124D
- IGBT MODULE, HALF BRIDGE
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- External Depth:34mm
- External Length / Height:29.5mm
- External Width:94mm
- No. of Transistors:2
- Transistor Polarity:N
- Transistor Type:IGBT
- Av Current Ic:100A
- Current Temperature:25`C
- Fixing Centres:80mm
- Fixing Hole Diameter:6.4mm
- Max Current Ic Continuous a:100A
- Max Current Ic Continuous b:75A
- Max Power Dissipation Ptot:450W
- Power Dissipation Pd:450W
- Pulsed Current Icm:200A
- Rise Time:55ns
- Voltage Vces:1200V
Інші пропозиції SKM75GB124D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM75GB124D | Виробник : SEMIKRON | MODULE |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SKM75GB124D | Виробник : Semikron |
 IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |