Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM75GB124D
- IGBT MODULE, HALF BRIDGE
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Case Style:SEMITRANS 2
- External Depth:34mm
- External Length / Height:29.5mm
- External Width:94mm
- No. of Transistors:2
- Transistor Polarity:N
- Transistor Type:IGBT
- Av Current Ic:100A
- Current Temperature:25`C
- Fixing Centres:80mm
- Fixing Hole Diameter:6.4mm
- Max Current Ic Continuous a:100A
- Max Current Ic Continuous b:75A
- Max Power Dissipation Ptot:450W
- Power Dissipation Pd:450W
- Pulsed Current Icm:200A
- Rise Time:55ns
- Voltage Vces:1200V
Інші пропозиції SKM75GB124D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SKM75GB124D | SEMIKRON |
MODULE |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SKM75GB124D | ![]() |
Виробник: SEMIKRON
MODULE
MODULE
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


