Продукція > Транзистори > IGBT > SKM75GB12T4

SKM75GB12T4

Код товару: 101721
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM75GB12T4 за ціною від 4375.53 грн до 5052.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 SEMIKRON DANFOSS SKM75GB12T4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 88A
Pulsed collector current: 430A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5052.74 грн
8+4375.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 SEMIKRON SEMI-S-A0004637913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4.pdf
SKM75GB12T4
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 88A
Pulsed collector current: 430A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5052.74 грн
8+4375.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12T4 SEMI-S-A0004637913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM75GB12T4
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.