SKM75GB12T4

SKM75GB12T4 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889ECA81CBD7F93D1&compId=SKM75GB12T4.pdf?ci_sign=697f2979a65dfdebc9bc3515da8d1e96b6aeb701 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 88A
Pulsed collector current: 430A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5361.12 грн
8+4786.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SKM75GB12T4 SEMIKRON DANFOSS

Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 115A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 115A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SKM75GB12T4 за ціною від 5964.98 грн до 6611.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889ECA81CBD7F93D1&compId=SKM75GB12T4.pdf?ci_sign=697f2979a65dfdebc9bc3515da8d1e96b6aeb701 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 88A
Pulsed collector current: 430A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6433.34 грн
8+5964.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 Виробник : SEMIKRON Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6611.87 грн
5+6134.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12T4
Код товару: 101721
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12T4 SKM75GB12T4 Виробник : Semikron 479343016589153479342348133027semikron_datasheet_skm75gb12t4_22892010.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 115A 7-Pin Case GB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.