Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SKM75GB12T4 за ціною від 4324.27 грн до 6321.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM75GB12T4 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 88A Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Case: SEMITRANS2 Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 88A Pulsed collector current: 430A Max. off-state voltage: 1.2kV |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM75GB12T4 | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 115A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 115A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SKM75GB12T4 | Виробник : Semikron |
IGBT-модуль Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |