SKM75GB12T4 SEMIKRON
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 115A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 115A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5662.95 грн |
5+ | 5405.75 грн |
10+ | 5024.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SKM75GB12T4 SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 115A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 115A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Інші пропозиції SKM75GB12T4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SKM75GB12T4 Код товару: 101721 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
SKM75GB12T4 | Виробник : Semikron | Trans IGBT Module N-CH 1200V 115A 7-Pin Case GB |
товар відсутній |