Інші пропозиції SKM75GB12V IGBT-транзистор
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SKM75GB12V | Виробник : Semikron |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 114A 7-Pin |
товар відсутній |
|
 |
SKM75GB12V | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: V-IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 114A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 114A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
товар відсутній |