Інші пропозиції SKM75GB12V IGBT-транзистор за ціною від 6482.77 грн до 7325.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SKM75GB12V | Виробник : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: V-IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 114A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 114A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SKM75GB12V | Виробник : Semikron | IGBT-модуль, 1,2кВ; 75А Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |

