Продукція > Транзистори > IGBT > SKM75GB12V IGBT-транзистор

SKM75GB12V IGBT-транзистор

Код товару: 73812
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SKM75GB12V IGBT-транзистор за ціною від 6506.39 грн до 7803.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SKM75GB12V 22892013 SKM75GB12V 22892013 SEMIKRON DANFOSS SKM75GB12V.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 225A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Version: D61
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+7803.59 грн
3+6810.96 грн
8+6506.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12V SKM75GB12V SEMIKRON SEMI-S-A0002552652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 114A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 114A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12V 22892013 SKM75GB12V.pdf
SKM75GB12V 22892013
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 225A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SEMITRANS2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Version: D61
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7803.59 грн
3+6810.96 грн
8+6506.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKM75GB12V SEMI-S-A0002552652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM75GB12V
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 114A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 114A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.