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| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SKM800GA176D | SEMIKRON |
 Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 830A Produktpalette: SEMITRANS 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 830A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SKM800GA176D |
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Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 830A
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 830A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 830A
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 830A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)