SM6S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Виробник: Vishay General Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 6W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.16 грн |
| 10+ | 191.49 грн |
| 25+ | 165.12 грн |
| 100+ | 126.11 грн |
| 750+ | 108.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SM6S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: DO-218AB, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 86A, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-218AB, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW), Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V, Voltage - Breakdown (Min): 36.7V, Unidirectional Channels: 1.
Інші пропозиції SM6S33AHE3_A/I за ціною від 163.92 грн до 250.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SM6S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 86A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW) Power Line Protection: No Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|