Технічний опис SM8S12AHE3_A/I Vishay
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 6.6kW; 13.3V; 332A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S, Mounting: SMD, Max. forward impulse current: 332A, Peak pulse power dissipation: 6.6kW, Technology: PAR®, Application: automotive industry, Max. off-state voltage: 12V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Semiconductor structure: unidirectional, Leakage current: 10µA, Case: DO218AB, Type of diode: TVS, Breakdown voltage: 13.3V, Manufacturer series: SM8S.
Інші пропозиції SM8S12AHE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SM8S12AHE3_A/I | Vishay Semiconductors | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,12V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SM8S12AHE3_A/I |
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,12V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,12V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




