SM8S12AHE3_A/I Vishay
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 218.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
750 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SM8S12AHE3_A/I Vishay
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 6.6kW; 13.3V; 332A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S, Mounting: SMD, Max. forward impulse current: 332A, Peak pulse power dissipation: 6.6kW, Technology: PAR®, Application: automotive industry, Max. off-state voltage: 12V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Semiconductor structure: unidirectional, Leakage current: 10µA, Case: DO218AB, Type of diode: TVS, Breakdown voltage: 13.3V, Manufacturer series: SM8S.
Інші пропозиції SM8S12AHE3_A/I за ціною від 115.86 грн до 359.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SM8S12AHE3_A/I | Vishay Semiconductors | ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,12V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 810 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SM8S12AHE3_A/I |
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,12V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,12V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 810 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 359.88 грн |
| 10+ | 198.13 грн |
| 100+ | 156.49 грн |
| 500+ | 127.15 грн |
| 750+ | 122.63 грн |
| 2250+ | 118.12 грн |
| 4500+ | 115.86 грн |