SM8S33AHE3_A/I Vishay
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
750+ | 80.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SM8S33AHE3_A/I Vishay
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 36.7V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 40.6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 33V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR SM8S, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 53.3V.
Інші пропозиції SM8S33AHE3_A/I за ціною від 99.2 грн до 300.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: PAR® |
на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.7V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 40.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR SM8S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 53.3V |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5.2kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.7V Max. forward impulse current: 124A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO218AB Mounting: SMD Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: PAR® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1552 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-218AB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: DO-218AB Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW) Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor | ESD Suppressors / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 18056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-218AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.7V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 40.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PAR SM8S productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 53.3V |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SM8S33AHE3_A/I | Виробник : Vishay | Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW Automotive 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |