Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > SM8S33AHE3_A/I
SM8S33AHE3_A/I

SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

sm8s.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+101.70 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 36.7V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 40.6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 33V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR SM8S, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 53.3V, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SM8S33AHE3_A/I за ціною від 67.27 грн до 248.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+112.51 грн
2250+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+118.96 грн
3000+116.20 грн
4500+113.25 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm8s.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+120.55 грн
2250+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor sm8s.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.46 грн
500+110.65 грн
750+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+126.31 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+128.00 грн
2250+99.66 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+128.76 грн
3000+125.77 грн
4500+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+164.96 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : VISHAY VISH-S-A0020768771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+184.65 грн
500+132.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+205.49 грн
250+168.04 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : VISHAY sm8s.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Manufacturer series: SM8S
Technology: PAR®
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 124A
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: DO218AB
Mounting: SMD
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.84 грн
10+145.19 грн
50+122.53 грн
100+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : VISHAY VISH-S-A0020768771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.10 грн
10+218.82 грн
100+184.65 грн
500+132.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Виробник : Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.