Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > SM8S33AHE3_A/I
SM8S33AHE3_A/I

SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

sm8s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+129.45 грн
2250+112.67 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 750 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-218AB, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 36.7V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 40.6V, isCanonical: Y, Sperrspannung: 33V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PAR SM8S, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 53.3V.

Інші пропозиції SM8S33AHE3_A/I за ціною від 116.82 грн до 355.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+187.32 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+187.32 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I VISHAY sm8s.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Kind of package: 13 inch reel; tape
Manufacturer series: SM8S
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.27 грн
250+124.44 грн
500+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm8s.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.32 грн
10+221.55 грн
50+172.99 грн
100+147.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.90 грн
250+231.79 грн
500+213.69 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay Semiconductors sm8s.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I VISHAY VISH-S-A0020768771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 33V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I VISHAY VISH-S-A0020768771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: N
Sperrspannung: 33V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+187.32 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+187.32 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.6kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 6.6kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Max. forward impulse current: 124A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Technology: PAR®
Application: automotive industry
Kind of package: 13 inch reel; tape
Manufacturer series: SM8S
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+193.27 грн
250+124.44 грн
500+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.32 грн
10+221.55 грн
50+172.99 грн
100+147.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+355.90 грн
250+231.79 грн
500+213.69 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I VISH-S-A0020768771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 33V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I VISH-S-A0020768771-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SM8S33AHE3_A/I - TVS-Diode, PAR SM8S, Unidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-218AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218AB
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: N
Sperrspannung: 33V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PAR SM8S
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.