Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > SM8S33AHE3_A/I
SM8S33AHE3_A/I

SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

sm8s.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
750+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-218AB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V, Supplier Device Package: DO-218AB, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 36.7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V, Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW), Power Line Protection: No, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SM8S33AHE3_A/I за ціною від 107.84 грн до 313.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm8s.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+130.37 грн
3000+127.34 грн
4500+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+131.69 грн
3000+128.64 грн
4500+125.37 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.18 грн
250+184.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I VISHAY sm8s.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Manufacturer series: SM8S
Technology: PAR®
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 124A
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: DO218AB
Mounting: SMD
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.52 грн
10+146.77 грн
50+123.87 грн
100+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay Semiconductors sm8s.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.29 грн
10+228.57 грн
100+146.60 грн
500+110.66 грн
750+107.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I SM8S33AHE3_A/I Vishay sm8s.pdf Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 124A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 6600W (6.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
750+130.37 грн
3000+127.34 грн
4500+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
750+131.69 грн
3000+128.64 грн
4500+125.37 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
63+225.18 грн
250+184.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 5.2kW; 36.7V; 124A; unidirectional; DO218AB; PAR®; SM8S
Manufacturer series: SM8S
Technology: PAR®
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 124A
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7V
Peak pulse power dissipation: 5.2kW
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: DO218AB
Mounting: SMD
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+248.52 грн
10+146.77 грн
50+123.87 грн
100+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 8W,33V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+313.29 грн
10+228.57 грн
100+146.60 грн
500+110.66 грн
750+107.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM8S33AHE3_A/I sm8s.pdf
SM8S33AHE3_A/I
Виробник: Vishay
Diode TVS Single Uni-Dir 33V 6.6KW 2-Pin(1+Tab) DO-218AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.