SMB10J14A-E3/52 Vishay General Semiconductor
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.28 грн |
| 10+ | 44.88 грн |
| 100+ | 29.9 грн |
| 500+ | 23.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMB10J14A-E3/52 Vishay General Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 1kW; 15.6V; 43.1A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: SMB, Semiconductor structure: unidirectional, Leakage current: 1µA, Features of semiconductor devices: glass passivated, Manufacturer series: SMBJ, Max. forward impulse current: 43.1A, Peak pulse power dissipation: 1kW, Technology: TransZorb®, Max. off-state voltage: 14V, Breakdown voltage: 15.6V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMB10J14A-E3/52
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SMB10J14A-E3/52 | Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division |
 Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC SMB |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SMB10J14A-E3/52 | Виробник : Vishay |
TVS Diode Single Uni-Dir 14V 1KW 2-Pin SMB T/R |
товар відсутній |
|
 |
SMB10J14A-E3/52 | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 1kW; 15.6V; 43.1A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Type of diode: TVS Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: SMBJ Max. forward impulse current: 43.1A Peak pulse power dissipation: 1kW Technology: TransZorb® Max. off-state voltage: 14V Breakdown voltage: 15.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SMB10J14A-E3/52 | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 1kW; 15.6V; 43.1A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Type of diode: TVS Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: SMBJ Max. forward impulse current: 43.1A Peak pulse power dissipation: 1kW Technology: TransZorb® Max. off-state voltage: 14V Breakdown voltage: 15.6V |
товар відсутній |