SMB10J30A-E3/5B Vishay Semiconductor Diodes Division
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMB10J30A-E3/5B Vishay Semiconductor Diodes Division
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 1kW; 33.3V; 16.5A; unidirectional; SMB; TransZorb®; SMBJ, Type of diode: TVS, Mounting: SMD, Kind of package: 13 inch reel; tape, Case: SMB, Semiconductor structure: unidirectional, Manufacturer series: SMBJ, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, Leakage current: 1µA, Max. forward impulse current: 16.5A, Max. off-state voltage: 30V, Breakdown voltage: 33.3V, Peak pulse power dissipation: 1kW, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMB10J30A-E3/5B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SMB10J30A-E3/5B | Виробник : Vishay |
TVS Diode Single Uni-Dir 30V 1KW 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
|
|
SMB10J30A-E3/5B | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 1kW; 33.3V; 16.5A; unidirectional; SMB; TransZorb®; SMBJ Type of diode: TVS Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: unidirectional Manufacturer series: SMBJ Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 16.5A Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.3V Peak pulse power dissipation: 1kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
SMB10J30A-E3/5B | Виробник : Vishay General Semiconductor |
ESD Suppressors / TVS Diodes 1000W 30V 5% Uni |
товару немає в наявності |
|
|
SMB10J30A-E3/5B | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 1kW; 33.3V; 16.5A; unidirectional; SMB; TransZorb®; SMBJ Type of diode: TVS Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SMB Semiconductor structure: unidirectional Manufacturer series: SMBJ Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 16.5A Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.3V Peak pulse power dissipation: 1kW |
товару немає в наявності |


