;;2.jpg "SMBJ110D-M3/H")
SMBJ110D-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 110VWM 174VC DO214AA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBJ110D-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 124V; 3.45A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ, Manufacturer series: SMBJ, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Mounting: SMD, Case: SMB, Max. off-state voltage: 110V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 3.45A, Breakdown voltage: 124V, Leakage current: 0.5µA, Kind of package: reel; tape, Type of diode: TVS, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMBJ110D-M3/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SMBJ110D-M3/H | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 124V; 3.45A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Manufacturer series: SMBJ Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 110V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 3.45A Breakdown voltage: 124V Leakage current: 0.5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SMBJ110D-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 110VWM 174VC DO214AA |
товар відсутній |
|
 |
SMBJ110D-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
ESD Suppressors / TVS Diodes 110V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol |
товар відсутній |
|
|
|
SMBJ110D-M3/H | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 124V; 3.45A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Manufacturer series: SMBJ Peak pulse power dissipation: 0.6kW Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 110V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 3.45A Breakdown voltage: 124V Leakage current: 0.5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® |
товар відсутній |