Технічний опис SMBJ11CD-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 12.4V; 33.5A; bidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 11V, Breakdown voltage: 12.4V, Max. forward impulse current: 33.5A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: DO214AA; SMB, Mounting: SMD, Manufacturer series: SMBJ, Technology: TransZorb®, Features of semiconductor devices: glass passivated, Kind of package: 13 inch reel; tape, Leakage current: 2µA.
Інші пропозиції SMBJ11CD-M3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
;;2.jpg "SMBJ11CD-M3/I") |
SMBJ11CD-M3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: TVS DIODE 11V 17.9V DO214AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SMBJ11CD-M3/I | Vishay General Semiconductor |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9600 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SMBJ11CD-M3/I | Vishay Semiconductors |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9600 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SMBJ11CD-M3/I | VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 600W; 12.4V; 33.5A; bidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 11V Breakdown voltage: 12.4V Max. forward impulse current: 33.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Manufacturer series: SMBJ Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: 13 inch reel; tape Leakage current: 2µA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9600 шт В кошику од. на суму грн. |
| SMBJ11CD-M3/I |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 11V 17.9V DO214AA
Description: TVS DIODE 11V 17.9V DO214AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ11CD-M3/I |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ11CD-M3/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ11CD-M3/I |
|
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12.4V; 33.5A; bidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 11V
Breakdown voltage: 12.4V
Max. forward impulse current: 33.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel; tape
Leakage current: 2µA
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12.4V; 33.5A; bidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 11V
Breakdown voltage: 12.4V
Max. forward impulse current: 33.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel; tape
Leakage current: 2µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9600 шт
В кошику
од. на суму грн.