;;2.jpg "SMBJ11D-M3/H")
SMBJ11D-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 11VWM 17.9VC DO214AA
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBJ11D-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 12.4V; 33.5A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 11V, Breakdown voltage: 12.4V, Max. forward impulse current: 33.5A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 2µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, Manufacturer series: SMBJ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMBJ11D-M3/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SMBJ11D-M3/H | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 12.4V; 33.5A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 11V Breakdown voltage: 12.4V Max. forward impulse current: 33.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SMBJ11D-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 11VWM 17.9VC DO214AA |
товар відсутній |
|
 |
SMBJ11D-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
ESD Suppressors / TVS Diodes 11V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol |
товар відсутній |
|
|
|
SMBJ11D-M3/H | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 600W; 12.4V; 33.5A; unidirectional; SMB; reel,tape; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 11V Breakdown voltage: 12.4V Max. forward impulse current: 33.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 2µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® Manufacturer series: SMBJ |
товар відсутній |