
SMBJ26CAHE3_B/I Vishay
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6400+ | 19.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBJ26CAHE3_B/I Vishay
Description: TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: Telecom, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.3A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 28.9V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SMBJ26CAHE3_B/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SMBJ26CAHE3_B/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SMBJ26CAHE3_B/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SMBJ26CAHE3_B/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Telecom Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28.9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 42.1V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
SMBJ26CAHE3_B/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SMBJ26CAHE3_B/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
SMBJ26CAHE3_B\I | Виробник : Vishay | 600W,26V 5%,BIDIR,SMB TVS |
товару немає в наявності |
||
SMBJ26CAHE3_B/I | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 600W; 28.9V; 14.3A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 28.9V Max. forward impulse current: 14.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Operating temperature: -55...150°C Number of channels: 1 Application: automotive industry |
товару немає в наявності |