SMBJ30CAE3/TR13 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 600W, Stand-off voltage = 30V, +/- 5%, Bi-dir
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.68 грн |
| 10+ | 34.10 грн |
| 3000+ | 25.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBJ30CAE3/TR13 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33.3V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V, Power - Peak Pulse: 600W, Power Line Protection: No, Part Status: Active.
Інші пропозиції SMBJ30CAE3/TR13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ30CAE3/TR13 | MICROSEMI |
DO-214AA/ 600 W Transient Voltage Suppressors SMBJ30кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
SMBJ30CAE3/TR13 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SMBJ30CAE3/TR13 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.3V Max. forward impulse current: 12.4A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Manufacturer standard package: 3000pcs. Operating temperature: -65...150°C Number of channels: 1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SMBJ30CAE3/TR13 | Microchip Technology |
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SMBJ30CAE3/TR13 | Microchip Technology |
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SMBJ30CAE3/TR13 |
![]() |
Виробник: MICROSEMI
DO-214AA/ 600 W Transient Voltage Suppressors SMBJ30
кількість в упаковці: 3000 шт
DO-214AA/ 600 W Transient Voltage Suppressors SMBJ30
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ30CAE3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 12.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ30CAE3/TR13 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ30CAE3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ30CAE3/TR13 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.




