;;2.jpg "SMBJ9.0CD-M3/H")
SMBJ9.0CD-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBJ9.0CD-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 600W; 10.2V; 39.7A; bidirectional; SMB; TransZorb®; SMBJ, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 9V, Breakdown voltage: 10.2V, Max. forward impulse current: 39.7A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: SMB, Mounting: SMD, Leakage current: 5µA, Kind of package: 7 inch reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, Manufacturer series: SMBJ.
Інші пропозиції SMBJ9.0CD-M3/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SMBJ9.0CD-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: TVS DIODE 9VWM 15.1VC DO214AA |
товару немає в наявності |
|
 |
SMBJ9.0CD-M3/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 9.0V 600W Bidir TransZorb 3.5% Tol |
товару немає в наявності |
|
 |
SMBJ9.0CD-M3/H | Виробник : VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 600W; 10.2V; 39.7A; bidirectional; SMB; TransZorb®; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 9V Breakdown voltage: 10.2V Max. forward impulse current: 39.7A Semiconductor structure: bidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: 7 inch reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® Manufacturer series: SMBJ |
товару немає в наявності |