SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SMBT2222AE6327HTSA1 за ціною від 2.01 грн до 19.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 64541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 300MHz |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A |
на замовлення 121836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 64541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 344911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Icutoff-max = 10 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,33; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |





