Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SMBT2222AE6327HTSA1
SMBT2222AE6327HTSA1

SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

smbt2222.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4732+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 4732
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SMBT2222AE6327HTSA1 за ціною від 2.31 грн до 29.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4425+2.86 грн
6000+2.82 грн
9000+2.70 грн
15000+2.58 грн
21000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 4425
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.03 грн
6000+3.01 грн
9000+2.87 грн
15000+2.74 грн
21000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9288+3.40 грн
10417+3.03 грн
100000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 9288
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9288+3.40 грн
10417+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 9288
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2627+4.81 грн
2831+4.47 грн
3074+4.11 грн
3364+3.62 грн
3713+3.04 грн
6000+2.62 грн
15000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 2627
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.22 грн
6000+4.53 грн
9000+4.28 грн
15000+3.75 грн
21000+3.59 грн
30000+3.44 грн
75000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON 1932448.pdf Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 64541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.99 грн
1000+4.32 грн
22500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+6.29 грн
123+5.91 грн
131+5.54 грн
141+4.97 грн
250+4.27 грн
500+3.78 грн
1000+3.45 грн
3000+3.13 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.85 грн
49+8.65 грн
55+7.65 грн
79+5.32 грн
100+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.82 грн
29+10.78 грн
33+9.18 грн
50+6.39 грн
100+5.38 грн
500+3.82 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON 1932448.pdf Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 64541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+14.33 грн
103+8.76 грн
250+5.99 грн
1000+4.32 грн
22500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 84294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.05 грн
23+14.64 грн
100+9.14 грн
500+6.35 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SMBT2222A_MMBT2222A-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
на замовлення 118301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+29.63 грн
17+22.32 грн
100+11.02 грн
500+7.35 грн
1000+5.59 грн
3000+4.95 грн
6000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 150 мA, 10 В; Icutoff-max = 10 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,33; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.