Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SMBT2222AE6327HTSA1
SMBT2222AE6327HTSA1

SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.79 грн
6000+4.16 грн
9000+3.93 грн
15000+3.44 грн
21000+3.30 грн
30000+3.16 грн
75000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SMBT2222AE6327HTSA1 за ціною від 1.68 грн до 29.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.45 грн
37+11.54 грн
53+8.14 грн
100+7.02 грн
500+5.14 грн
1000+4.65 грн
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON 1932448.pdf Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.84 грн
250+11.18 грн
1000+6.47 грн
22500+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 84294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.44 грн
100+8.39 грн
500+5.83 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-SMBT2222A_MMBT2222A-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
на замовлення 104388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.01 грн
23+14.43 грн
100+7.89 грн
500+5.85 грн
1000+5.22 грн
3000+4.30 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.27 грн
66+12.58 грн
250+10.77 грн
1000+6.48 грн
22500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-SMBT2222A.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+16.45 грн
37+11.54 грн
53+8.14 грн
100+7.02 грн
500+5.14 грн
1000+4.65 грн
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 1932448.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.84 грн
250+11.18 грн
1000+6.47 грн
22500+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 84294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.44 грн
100+8.39 грн
500+5.83 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon-SMBT2222A_MMBT2222A-DS-v01_01-en.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
на замовлення 104388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.01 грн
23+14.43 грн
100+7.89 грн
500+5.85 грн
1000+5.22 грн
3000+4.30 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 88701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+29.27 грн
66+12.58 грн
250+10.77 грн
1000+6.48 грн
22500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon-SMBT2222A.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.