Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SMBT2222AE6327HTSA1
SMBT2222AE6327HTSA1

SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

smbt2222.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4793+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 4793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4793 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SMBT2222AE6327HTSA1 за ціною від 1.68 грн до 25.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+4.81 грн
256+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
6000+4.80 грн
9000+4.54 грн
15000+3.98 грн
21000+3.82 грн
30000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.49 грн
10000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies smbt2222.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 231600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.49 грн
10000+5.79 грн
100000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
28+15.10 грн
50+10.43 грн
100+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 35167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.32 грн
100+9.62 грн
500+6.70 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
на замовлення 85080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON 1932448.pdf Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 81584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON 1932448.pdf Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 81584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-SMBT2222A.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
157+4.81 грн
256+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.52 грн
6000+4.80 грн
9000+4.54 грн
15000+3.98 грн
21000+3.82 грн
30000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 29790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5455+6.49 грн
10000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 231600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5455+6.49 грн
10000+5.79 грн
100000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.48 грн
28+15.10 грн
50+10.43 грн
100+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 40V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 35167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
20+15.32 грн
100+9.62 грн
500+6.70 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 smbt2222a_mmbt2222a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fbaff0018f
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
на замовлення 85080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 1932448.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 81584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 1932448.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 81584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon-SMBT2222A.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.