Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SMBT2907AE6327HTSA1
SMBT2907AE6327HTSA1

SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies

smbt2907a.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SMBT2907AE6327HTSA1 за ціною від 2.18 грн до 22.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2067+5.91 грн
2087+5.85 грн
2110+5.78 грн
2165+5.44 грн
3283+3.32 грн
6000+3.16 грн
15000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 2067
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON INFNS27672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.02 грн
250+9.49 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+15.68 грн
64+9.44 грн
74+8.22 грн
111+5.29 грн
250+4.85 грн
500+4.60 грн
1000+4.49 грн
3000+2.96 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SMBT2907A_DS_v01_01_en-1732124.pdf Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A
на замовлення 53181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.57 грн
34+10.07 грн
100+5.22 грн
1000+4.93 грн
3000+4.19 грн
45000+2.57 грн
99000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON INFNS27672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.45 грн
55+15.02 грн
250+9.49 грн
1000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon smbt2907a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fe084a0190
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2907a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fe084a0190 Description: TRANS PNP 60V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies smbt2907a.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445fab851018e&fileId=db3a30431441fb5d011445fe084a0190 Description: TRANS PNP 60V 0.6A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.