SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4839+ | 2.94 грн |
| 4886+ | 2.91 грн |
| 4935+ | 2.89 грн |
| 4984+ | 2.76 грн |
| 5034+ | 2.53 грн |
| 6000+ | 2.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4839 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SMBT2907AE6327HTSA1 за ціною від 2.40 грн до 35.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 200MHz Collector current: 0.6A |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A |
на замовлення 15613 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. |
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 251+ | 3.03 грн |
| 254+ | 3.00 грн |
| 256+ | 2.97 грн |
| 259+ | 2.84 грн |
| 261+ | 2.60 грн |
| 500+ | 2.47 грн |
| 1000+ | 2.45 грн |
| 3000+ | 2.42 грн |
| 6000+ | 2.40 грн |
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3769+ | 3.78 грн |
| 24000+ | 2.79 грн |
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.80 грн |
| 24000+ | 2.80 грн |
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9288+ | 3.83 грн |
| 10417+ | 3.42 грн |
| 100000+ | 2.86 грн |
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.6A
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.6A
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 20.44 грн |
| 24+ | 17.83 грн |
| 26+ | 16.18 грн |
| 50+ | 10.15 грн |
| 100+ | 7.68 грн |
| 239+ | 3.95 грн |
| 655+ | 3.74 грн |
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A
на замовлення 15613 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.92 грн |
| 13+ | 24.56 грн |
| 100+ | 19.53 грн |
| 3000+ | 16.60 грн |
| 24000+ | 3.58 грн |
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMBT2907AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





