SMBT3904E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 300MHz
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.25 грн |
| 6000+ | 2.80 грн |
| 9000+ | 2.63 грн |
| 15000+ | 2.29 грн |
| 21000+ | 2.19 грн |
| 30000+ | 2.09 грн |
| 75000+ | 1.83 грн |
| 150000+ | 1.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBT3904E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 270MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SMBT3904E6327HTSA1 за ціною від 2.81 грн до 19.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMBT3904E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 134236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMBT3904E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 183951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMBT3904E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.2A |
на замовлення 49791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMBT3904E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 134235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBT3904E6327HTSA1 | Infineon |
|
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SMBT3904E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 134236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 8.55 грн |
| 1000+ | 5.03 грн |
| 27000+ | 2.81 грн |
| SMBT3904E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 183951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.86 грн |
| 33+ | 9.39 грн |
| 100+ | 5.86 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.54 грн |
| SMBT3904E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.2A
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.2A
на замовлення 49791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.94 грн |
| 30+ | 10.86 грн |
| 100+ | 6.41 грн |
| 500+ | 4.58 грн |
| 1000+ | 4.16 грн |
| 3000+ | 3.45 грн |
| 6000+ | 3.17 грн |
| SMBT3904E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SMBT3904E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 134235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 19.16 грн |
| 66+ | 12.50 грн |
| 250+ | 8.55 грн |
| 1000+ | 5.03 грн |
| 27000+ | 2.81 грн |
| SMBT3904E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




