Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SMBT3946DW1T1G
SMBT3946DW1T1G

SMBT3946DW1T1G ON Semiconductor

mbt3946dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5618+2.50 грн
5860+2.40 грн
5906+2.38 грн
6667+2.03 грн
6697+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 5618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMBT3946DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SMBT3946DW1T1G за ціною від 1.80 грн до 16.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 29950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+6.89 грн
174+4.33 грн
176+4.28 грн
300+2.41 грн
312+2.15 грн
500+2.05 грн
1000+1.81 грн
6000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.16 грн
32+9.41 грн
100+6.07 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G onsemi mbt3946dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR DUAL 40V
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G SMBT3946DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G ON Semiconductor mbt3946dw1t1-d.pdf
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
SMBT3946DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.39 грн
6000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
SMBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 29950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
SMBT3946DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+6.89 грн
174+4.33 грн
176+4.28 грн
300+2.41 грн
312+2.15 грн
500+2.05 грн
1000+1.81 грн
6000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
SMBT3946DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.16 грн
32+9.41 грн
100+6.07 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
SMBT3946DW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR DUAL 40V
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBT3946DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G ONSM-S-A0013579361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBT3946DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3946DW1T1G mbt3946dw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.