SMBT3946DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 18500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5618+ | 2.19 грн |
| 5860+ | 2.10 грн |
| 5906+ | 2.09 грн |
| 6667+ | 1.78 грн |
| 6697+ | 1.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBT3946DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SMBT3946DW1T1G за ціною від 1.69 грн до 12.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMBT3946DW1T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SMBT3946DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SMBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 29950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SMBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 18500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SMBT3946DW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR DUAL 40V |
на замовлення 30214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SMBT3946DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SMBT3946DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMBT3946DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 30hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SMBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SMBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 5720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
SMBT3946DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |