SMBTA06UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBTA06UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 330mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 330mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA.
Інші пропозиції SMBTA06UPNE6327HTSA1 за ціною від 3.69 грн до 10.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
SMBTA06UPNE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 330mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 330mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
SMBTA06UPNE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 330mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 330mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| SMBTA06UPNE6327HTSA1 | Infineon |
NPN/PNP 80V 500mA 330mW 100MHz SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327 Infineon TSMBTA06upnкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SMBTA06UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 80V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.40 грн |
| SMBTA06UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 330mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 330mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 330mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 330mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMBTA06UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 330mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 330mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
Description: INFINEON - SMBTA06UPNE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 500 mA, 500 mA, 330 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 330mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 330mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMBTA06UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
NPN/PNP 80V 500mA 330mW 100MHz SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327 Infineon TSMBTA06upn
кількість в упаковці: 500 шт
NPN/PNP 80V 500mA 330mW 100MHz SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327 Infineon TSMBTA06upn
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.69 грн |



