SMBTA56E6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6204+ | 3.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6204 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBTA56E6327 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції SMBTA56E6327 за ціною від 6.00 грн до 780.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMBTA 56 E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A |
на замовлення 3739 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SMBTA 56 E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SMBTA56E6327 | Infineon |
SMBTA56E6327 Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 500мА, 330мВт, SOT23 Транзистори |
на замовлення 1 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SMBTA56 E6327 | INFINEON |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SMBTA 56 E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 80V 0.5A
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.79 грн |
| 10+ | 30.36 грн |
| 100+ | 16.75 грн |
| 500+ | 10.53 грн |
| 1000+ | 9.21 грн |
| 3000+ | 6.95 грн |
| 6000+ | 6.00 грн |
| SMBTA 56 E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.41 грн |
| SMBTA56E6327 |
|
Виробник: Infineon
SMBTA56E6327 Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 500мА, 330мВт, SOT23 Транзистори
SMBTA56E6327 Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 500мА, 330мВт, SOT23 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 780.00 грн |
| SMBTA56 E6327 |
Виробник: INFINEON
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)