SMCG15A-E3/57T Vishay General Semiconductor
на замовлення 12948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.09 грн |
10+ | 56.76 грн |
100+ | 36.8 грн |
500+ | 31.09 грн |
850+ | 26.5 грн |
1700+ | 26.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMCG15A-E3/57T Vishay General Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7V; 61.5A; unidirectional; DO215AB; reel,tape, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 15V, Breakdown voltage: 16.7V, Max. forward impulse current: 61.5A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO215AB, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMCG15A-E3/57T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SMCG15A-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO215AB |
на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SMCG15A-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: TVS DIODE 15V 24.4V DO215AB |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SMCG15A-E3/57T | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7V; 61.5A; unidirectional; DO215AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 15V Breakdown voltage: 16.7V Max. forward impulse current: 61.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO215AB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SMCG15A-E3/57T | Виробник : VISHAY |
Category: Unidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7V; 61.5A; unidirectional; DO215AB; reel,tape Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 15V Breakdown voltage: 16.7V Max. forward impulse current: 61.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO215AB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® |
товар відсутній |