
SMCJ10AHE3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMCJ10AHE3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1V; 88.2A; unidirectional; SMC; TransZorb®, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 10V, Breakdown voltage: 11.1V, Max. forward impulse current: 88.2A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: SMC, Mounting: SMD, Leakage current: 5µA, Kind of package: 7 inch reel; tape, Manufacturer series: SMCJ, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMCJ10AHE3/57T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMCJ10AHE3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1V; 88.2A; unidirectional; SMC; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1V Max. forward impulse current: 88.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: 7 inch reel; tape Manufacturer series: SMCJ Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SMCJ10AHE3/57T | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SMCJ10AHE3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1V; 88.2A; unidirectional; SMC; TransZorb® Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1V Max. forward impulse current: 88.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMC Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: 7 inch reel; tape Manufacturer series: SMCJ Features of semiconductor devices: glass passivated Technology: TransZorb® |
товару немає в наявності |