
SMCJ10AHE3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMCJ10AHE3/57T Vishay Semiconductor Diodes Division
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1V; 88.2A; unidirectional; SMC; TransZorb®, Max. off-state voltage: 10V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 88.2A, Breakdown voltage: 11.1V, Leakage current: 5µA, Kind of package: 7 inch reel; tape, Type of diode: TVS, Features of semiconductor devices: glass passivated, Manufacturer series: SMCJ, Technology: TransZorb®, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Mounting: SMD, Case: SMC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMCJ10AHE3/57T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMCJ10AHE3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1V; 88.2A; unidirectional; SMC; TransZorb® Max. off-state voltage: 10V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 88.2A Breakdown voltage: 11.1V Leakage current: 5µA Kind of package: 7 inch reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: SMCJ Technology: TransZorb® Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: SMD Case: SMC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SMCJ10AHE3/57T | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SMCJ10AHE3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1V; 88.2A; unidirectional; SMC; TransZorb® Max. off-state voltage: 10V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 88.2A Breakdown voltage: 11.1V Leakage current: 5µA Kind of package: 7 inch reel; tape Type of diode: TVS Features of semiconductor devices: glass passivated Manufacturer series: SMCJ Technology: TransZorb® Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: SMD Case: SMC |
товару немає в наявності |