Технічний опис SMCJ10CAHE3_A/H Vishay
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1÷12.3V; 88.2A; bidirectional; DO214AB,SMC, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 10V, Breakdown voltage: 11.1...12.3V, Max. forward impulse current: 88.2A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: DO214AB; SMC, Mounting: SMD, Leakage current: 5µA, Manufacturer series: SMCJ, Technology: TransZorb®, Features of semiconductor devices: glass passivated, Application: automotive industry, Kind of package: 7 inch reel; tape.
Інші пропозиції SMCJ10CAHE3_A/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SMCJ10CAHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3400 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SMCJ10CAHE3_A/H | Vishay Semiconductors |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,10V 5%,BIDIR,SMC TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3400 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SMCJ10CAHE3-A/H | Vishay Semiconductors | ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5KW,10V 5%,BIDIR,SMC TVS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SMCJ10CAHE3_A/H | VISHAY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1÷12.3V; 88.2A; bidirectional; DO214AB,SMC Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 10V Breakdown voltage: 11.1...12.3V Max. forward impulse current: 88.2A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO214AB; SMC Mounting: SMD Leakage current: 5µA Manufacturer series: SMCJ Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated Application: automotive industry Kind of package: 7 inch reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3400 шт В кошику од. на суму грн. |
| SMCJ10CAHE3_A/H |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMCJ10CAHE3_A/H |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,10V 5%,BIDIR,SMC TVS
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,10V 5%,BIDIR,SMC TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMCJ10CAHE3-A/H |
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5KW,10V 5%,BIDIR,SMC TVS
ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5KW,10V 5%,BIDIR,SMC TVS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMCJ10CAHE3_A/H |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1÷12.3V; 88.2A; bidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 88.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: SMCJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: 7 inch reel; tape
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 11.1÷12.3V; 88.2A; bidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 88.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: SMCJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3400 шт
В кошику
од. на суму грн.





