SMCJ51A-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMCJ51A-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 56.7÷62.7V; 18.2A; unidirectional; DO214AB,SMC, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 51V, Breakdown voltage: 56.7...62.7V, Max. forward impulse current: 18.2A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO214AB; SMC, Mounting: SMD, Leakage current: 1µA, Kind of package: 7 inch reel; tape, Manufacturer series: SMCJ, Technology: TransZorb®, Features of semiconductor devices: glass passivated.
Інші пропозиції SMCJ51A-M3/57T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SMCJ51A-M3/57T | Vishay General Semiconductor |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,51V 5%,UNIDIR,SMC TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4250 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
SMCJ51A-M3/57T | Vishay Semiconductors |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,51V 5%,UNIDIR,SMC TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4250 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SMCJ51A-M3/57T | VISHAY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 56.7÷62.7V; 18.2A; unidirectional; DO214AB,SMC Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 56.7...62.7V Max. forward impulse current: 18.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO214AB; SMC Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: 7 inch reel; tape Manufacturer series: SMCJ Technology: TransZorb® Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4250 шт В кошику од. на суму грн. |
| SMCJ51A-M3/57T |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,51V 5%,UNIDIR,SMC TVS
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,51V 5%,UNIDIR,SMC TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMCJ51A-M3/57T |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,51V 5%,UNIDIR,SMC TVS
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1.5KW,51V 5%,UNIDIR,SMC TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMCJ51A-M3/57T |
|
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 56.7÷62.7V; 18.2A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 18.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 56.7÷62.7V; 18.2A; unidirectional; DO214AB,SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 18.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Manufacturer series: SMCJ
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4250 шт
В кошику
од. на суму грн.