
SMMBF4393LT1G onsemi

Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBF4393LT1G onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 225 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SMMBF4393LT1G за ціною від 10.74 грн до 63.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SMMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 14241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SMMBF4393LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 70258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SMMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 100Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SMMBF4393LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 100Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
SMMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SMMBF4393LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |