SMMBFJ175LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.75 грн |
| 6000+ | 7.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBFJ175LT1G onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Power - Max: 225 mW, Resistance - RDS(On): 125 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SMMBFJ175LT1G за ціною від 6.76 грн до 19.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs SS SOT23 JFET PCH 30 |
на замовлення 7534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBFJ175LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SMMBFJ175LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -60mA Power dissipation: 0.225W Kind of channel: enhancement On-state resistance: 125Ω Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-JFET Mounting: SMD Case: SOT23 |
товару немає в наявності |