
SMMBFJ177LT1G onsemi

Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.12 грн |
6000+ | 7.58 грн |
9000+ | 7.47 грн |
15000+ | 6.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBFJ177LT1G onsemi
Description: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції SMMBFJ177LT1G за ціною від 6.63 грн до 47.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 22393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -25V Drain current: -20mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
SMMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -25V Drain current: -20mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |