SMMBFJ309LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBFJ309LT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA, Type of transistor: N-JFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 30mA, Power dissipation: 0.225W, Case: SOT23, Gate-source voltage: -25V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate current: 10mA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SMMBFJ309LT1G за ціною від 7.21 грн до 43.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SMMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 31367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs N-Channel JFET Transistor |
на замовлення 33495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SMMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SMMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
товару немає в наявності |