Продукція > ONSEMI > SMMBFJ310LT1G
SMMBFJ310LT1G

SMMBFJ310LT1G ONSEMI

mmbfj309lt1-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.24 грн
500+6.68 грн
1000+5.89 грн
5000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBFJ310LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SMMBFJ310LT1G за ціною від 5.51 грн до 17.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMMBFJ310LT1G SMMBFJ310LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.35 грн
28+10.87 грн
32+9.63 грн
100+7.73 грн
250+7.11 грн
500+6.74 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1G SMMBFJ310LT1G Виробник : ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+17.45 грн
77+10.50 грн
100+8.24 грн
500+6.68 грн
1000+5.89 грн
5000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbfj309lt1-d.pdf
на замовлення 17930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1G
Код товару: 149315
Додати до обраних Обраний товар

mmbfj309lt1-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1G SMMBFJ310LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1G SMMBFJ310LT1G Виробник : onsemi mmbfj309lt1-d.pdf JFETs SS JFET XSTR SPCL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBFJ310LT1G Виробник : ONSEMI mmbfj309lt1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.