Продукція > ONSEMI > SMMBT2222ALT1G
SMMBT2222ALT1G

SMMBT2222ALT1G onsemi

mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.44 грн
6000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBT2222ALT1G onsemi

Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SMMBT2222ALT1G за ціною від 2.20 грн до 19.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.17 грн
118+6.83 грн
500+4.50 грн
1500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.69 грн
100+4.72 грн
500+3.23 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 19239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.55 грн
39+8.16 грн
100+4.48 грн
500+3.31 грн
1000+3.24 грн
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ONSEMI mmbt2222lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.05 грн
72+11.17 грн
118+6.83 грн
500+4.50 грн
1500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G ONN mmbt2222lt1-d.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.17 грн
118+6.83 грн
500+4.50 грн
1500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.17 грн
39+7.69 грн
100+4.72 грн
500+3.23 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 19239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.55 грн
39+8.16 грн
100+4.48 грн
500+3.31 грн
1000+3.24 грн
3000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
43+19.05 грн
72+11.17 грн
118+6.83 грн
500+4.50 грн
1500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.