Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SMMBT2222ALT1G
SMMBT2222ALT1G

SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor

mmbt2222lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SMMBT2222ALT1G за ціною від 2.20 грн до 20.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.76 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2096800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11858+3.11 грн
100000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4673+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 4673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.20 грн
6000+3.17 грн
9000+2.98 грн
24000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4602+3.20 грн
6000+3.17 грн
9000+2.98 грн
24000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 4602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+3.21 грн
9000+3.04 грн
27000+2.91 грн
51000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3580+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.38 грн
38+8.23 грн
100+5.04 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 195508 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
21+15.19 грн
35+8.97 грн
100+4.85 грн
500+3.48 грн
1000+3.10 грн
3000+2.57 грн
6000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ONSEMI mmbt2222lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.76 грн
6000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2096800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11858+3.11 грн
100000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 11858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4673+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 4673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.20 грн
6000+3.17 грн
9000+2.98 грн
24000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4602+3.20 грн
6000+3.17 грн
9000+2.98 грн
24000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 4602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4588+3.21 грн
9000+3.04 грн
27000+2.91 грн
51000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 4588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3580+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.38 грн
38+8.23 грн
100+5.04 грн
500+3.45 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 195508 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+15.19 грн
35+8.97 грн
100+4.85 грн
500+3.48 грн
1000+3.10 грн
3000+2.57 грн
6000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2222ALT1G ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMMBT2222ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.