Продукція > ONSEMI > SMMBT2369ALT1G
SMMBT2369ALT1G

SMMBT2369ALT1G ONSEMI

2907299.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.81 грн
1500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBT2369ALT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції SMMBT2369ALT1G за ціною від 3.68 грн до 32.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G Виробник : onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.18 грн
6000+5.38 грн
9000+5.09 грн
15000+4.48 грн
21000+4.30 грн
30000+4.12 грн
75000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G Виробник : onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 121724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.91 грн
19+16.94 грн
100+10.67 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G Виробник : onsemi MMBT2369LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.45 грн
19+18.88 грн
100+10.39 грн
500+7.71 грн
1000+6.03 грн
3000+5.42 грн
6000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.73 грн
44+19.70 грн
100+9.42 грн
500+7.88 грн
1000+5.82 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G Виробник : ONSEMI MMBT2369LT1-D.PDF Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5500+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G Виробник : ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.