Продукція > ONSEMI > SMMBT2369ALT1G
SMMBT2369ALT1G

SMMBT2369ALT1G onsemi

mmbt2369lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.83 грн
6000+5.08 грн
9000+4.81 грн
15000+4.23 грн
21000+4.06 грн
30000+3.89 грн
75000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBT2369ALT1G onsemi

Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції SMMBT2369ALT1G за ціною від 6.26 грн до 26.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
на замовлення 115554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.94 грн
19+16.01 грн
100+10.07 грн
500+7.04 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G onsemi mmbt2369lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 15V
на замовлення 10725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G ONSEMI mmbt2369lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G SMMBT2369ALT1G ONSEMI 2907299.pdf Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G ON Semiconductor mmbt2369lt1-d.pdf
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G ONSEMI MMBT2369LT1-D.PDF Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
SMMBT2369ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
на замовлення 115554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.94 грн
19+16.01 грн
100+10.07 грн
500+7.04 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
SMMBT2369ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 15V
на замовлення 10725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
SMMBT2369ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G 2907299.pdf
SMMBT2369ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G mmbt2369lt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT2369ALT1G MMBT2369LT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2369ALT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5500 шт
В кошику  од. на суму  грн.