Інші пропозиції SMMBT4401LT1G за ціною від 2.69 грн до 19.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMMBT4401LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SMMBT4401LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SMMBT4401LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SMMBT4401LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SMAL SGNL TRANS MINI BLK |
на замовлення 73711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SMMBT4401LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.31 грн |
| 1000+ | 3.58 грн |
| 5000+ | 2.69 грн |
| SMMBT4401LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 18.42 грн |
| 77+ | 10.69 грн |
| 126+ | 6.53 грн |
| 500+ | 4.31 грн |
| 1000+ | 3.58 грн |
| 5000+ | 2.69 грн |
| SMMBT4401LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.03 грн |
| 28+ | 10.92 грн |
| 100+ | 6.80 грн |
| 500+ | 4.68 грн |
| SMMBT4401LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SMAL SGNL TRANS MINI BLK
Bipolar Transistors - BJT SMAL SGNL TRANS MINI BLK
на замовлення 73711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.82 грн |
| 28+ | 11.67 грн |
| 100+ | 6.34 грн |
| 500+ | 4.65 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| 3000+ | 3.24 грн |





