Продукція > ONSEMI > SMMBT4403LT1G
SMMBT4403LT1G

SMMBT4403LT1G ONSEMI


ONSM-S-A0002809651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.30 грн
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBT4403LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SMMBT4403LT1G за ціною від 1.18 грн до 14.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMMBT4403LT1G SMMBT4403LT1G Виробник : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
6000+1.98 грн
9000+1.86 грн
15000+1.61 грн
21000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1G SMMBT4403LT1G Виробник : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 XSTR PNP
на замовлення 458260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.78 грн
79+4.31 грн
130+2.28 грн
1000+2.21 грн
3000+1.62 грн
9000+1.40 грн
24000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1G SMMBT4403LT1G Виробник : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 22180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.94 грн
45+6.90 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1G SMMBT4403LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.11 грн
82+10.07 грн
192+4.30 грн
500+2.30 грн
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1G SMMBT4403LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1G Виробник : ONSEMI mmbt4403lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1G Виробник : ONSEMI mmbt4403lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.