SMMBT5089LT1G ON Semiconductor
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4770+ | 6.53 грн |
| 10000+ | 5.83 грн |
| 100000+ | 4.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBT5089LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції SMMBT5089LT1G за ціною від 3.93 грн до 31.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SMMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 25V |
на замовлення 15237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5089LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 238069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G |
NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3 |
на замовлення 772 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SMMBT5089LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SMMBT5089LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 400...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |