Технічний опис SMMBT5551LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SMMBT5551LT1G за ціною від 1.84 грн до 9.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1223653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR |
на замовлення 36734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
SMMBT5551LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SMMBT5551LT1G | ONN |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1223653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13275+ | 2.66 грн |
| 100000+ | 2.22 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7947+ | 2.77 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5017+ | 2.81 грн |
| 5209+ | 2.71 грн |
| 5282+ | 2.67 грн |
| 5377+ | 2.53 грн |
| 5475+ | 2.30 грн |
| 6000+ | 2.17 грн |
| 15000+ | 2.14 грн |
| 30000+ | 2.10 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4747+ | 2.97 грн |
| 9000+ | 2.80 грн |
| 27000+ | 2.71 грн |
| 51000+ | 2.49 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4226+ | 3.34 грн |
| 5704+ | 2.47 грн |
| 5977+ | 2.36 грн |
| 6250+ | 2.18 грн |
| 6579+ | 1.92 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.74 грн |
| 6000+ | 3.31 грн |
| 9000+ | 3.09 грн |
| 15000+ | 2.81 грн |
| 21000+ | 2.48 грн |
| 30000+ | 2.27 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 109+ | 6.95 грн |
| 166+ | 4.55 грн |
| 187+ | 4.05 грн |
| 268+ | 2.71 грн |
| 278+ | 2.42 грн |
| 500+ | 2.29 грн |
| 1000+ | 2.25 грн |
| 3000+ | 2.21 грн |
| 6000+ | 2.17 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 8.56 грн |
| 135+ | 5.61 грн |
| 152+ | 4.98 грн |
| 218+ | 3.34 грн |
| 250+ | 2.98 грн |
| 500+ | 2.12 грн |
| 1000+ | 2.02 грн |
| 3000+ | 1.94 грн |
| 6000+ | 1.84 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 9.80 грн |
| 131+ | 5.76 грн |
| 189+ | 4.00 грн |
| 500+ | 2.84 грн |
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
на замовлення 36734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)






