Продукція > ONSEMI > SMMBT5551LT3G
SMMBT5551LT3G

SMMBT5551LT3G onsemi

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Transistor
на замовлення 13262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.42 грн
44+7.70 грн
100+3.46 грн
1000+2.80 грн
2500+2.43 грн
10000+2.13 грн
20000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SMMBT5551LT3G onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.

Інші пропозиції SMMBT5551LT3G за ціною від 2.40 грн до 14.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMMBT5551LT3G SMMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
36+8.58 грн
100+5.32 грн
500+3.64 грн
1000+3.21 грн
2000+2.84 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3G SMMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3G SMMBT5551LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3G SMMBT5551LT3G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT3G Виробник : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.