SMMBTA06LT1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMMBTA06LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SMMBTA06LT1G за ціною від 2.21 грн до 19.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SMMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR |
на замовлення 69915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBTA06LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 4370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SMMBTA06LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|